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唐山海泰新能科技有限公司(HTソーラー)は、多結晶シリコンインゴットの生産から太...

多結晶シリコンウェハーは太陽エネルギー電池を作るための核心材料であり、製品が広範...

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INTERSOLAR(2012)ドイツミュンヘン太陽エネルギー展示会
開催期間:2012年6月13~15日
展示ブース:A4-120B

  多結晶シリコンウェハーは太陽電池モジュール製造の核心材料です。製品が太陽光発電、通信、交通及び僻地住民の生産、生活給電などの分野に広く応用されます。、また、ソーラーライト、芝生ランプ及び住宅太陽光発電などの新たな分野にも応用できます。
海泰新能科技有限公司は多結晶シリコンウェハーの生産において、日本、アメリカ、スイス、ハンガリーなどから先端設備を採用しています。日々の研究開発と生産活動を重ねてきた垂直温度勾配凝固(VGF)技法とマルチラインネット切断技法を利用しました。特に結晶体の形成速度とアニーリングプロセスでは、自社独自の革新技術にて結晶体の結晶方位と結晶速度を保証することができます。、さらに、多結晶シリコンウェハーの安定性と高転化率も確保されます。

仕様基準:
  •           成長法                                   Growth Method                                  DSS

  •                        導電型番                                   Conductive Type                                 P

  •                        ドーパント                                  Dopant                                                  B

  •                  抵抗率                                       Resistivity(ρ)                               1.0 -3.0Ω•cm

  •                  少数キャリアライフタイム                     Minority Carrier Lifetime                 1.2μs(シリコンブロック Brick

  •                        酸素含有量                               Oxygen Content(oi)                         1.0*1018 at/cm3

  •                  炭素含有量                               Carbon Content(c)                          1.0*1017 at/cm3

  •                  ウェハー寸法                         Size                                                   156*156±0.5mm

  •                  面取り線角度                            Bebel Edge Angle                           45°± 10°

  •                  面取り線幅                                Bebel Edge Width                           0.5-2mm

  •                  ウェハー厚み                            Thinkness                                         200±20 μm

  •                  総厚みの変化                           TTV                                                     30μm

  •                  線痕跡                                       Saw Mark                                          15μm

  •                  曲げ度/ソリ度                            Bow/Warp                                         50μm

  •                  縁崩れ                                       Chip                                                   深さ≤0.3mm;長さ≤0.5mm

  •                  微小亀裂                               Crack                                                 不合格

  •                       外観                                           Appearance                                      目視検査により汚れ,欠け,穴あきと

  •                                                                                                                                       ひび割れがないこと



  • 156多結晶シリコンウェハーの梱包基準: